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第九代 v-nand 文章 最新資訊

長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產(chǎn)

  • 近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現(xiàn)場三期擴產(chǎn)與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業(yè)，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
  • 關鍵字： 長江存儲  半導體  3D NAND  晶棧  Xtacking  

長江存儲首個LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國產(chǎn)

  • 存儲器缺貨嚴峻持續(xù)擴大，供應鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務器市場，導致消費性、汽車市場等將首當其沖，國內(nèi)NAND Flash領導大廠長江存儲傳將被賦予關鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國特定產(chǎn)業(yè)與應用，確保內(nèi)需供應鏈穩(wěn)定，以避免發(fā)生斷供、企業(yè)裁員的惡性沖擊。供應鏈人士也透露，長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領頭羊，近來低調(diào)切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術領域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發(fā)，預計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經(jīng)封頂，并將以DRAM為擴產(chǎn)重心。 隨著在產(chǎn)
  • 關鍵字： 長江存儲  LPDDR5  NAND  

卷翻內(nèi)存市場 中國存儲廠商加速擴張產(chǎn)能

  • 全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)發(fā)展備受市場關注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預估須待2027年才具備正式量產(chǎn)條件。 然而，當?shù)匕雽w業(yè)界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產(chǎn)設備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產(chǎn)
  • 關鍵字： 內(nèi)存  存儲廠商  NAND  閃存  長江存儲  

240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

  • 美光新加坡工廠預計將于 2028 年下半年投產(chǎn)晶圓。
  • 關鍵字： 美光  NAND  

240億美元！美光擴建新加坡NAND晶圓廠

  • 隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達240億美元，用于建設一座全新的先進半導體制造工廠，以擴大其NAND Flash的生產(chǎn)能力，預計將于2028年下半年投產(chǎn)。據(jù)了解，美光科技此次宣布在新加坡建設的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現(xiàn)有的制造園區(qū)內(nèi)，240億美元的投資額將在未來10年內(nèi)分階段完成，預計將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產(chǎn)。值得一提
  • 關鍵字： 美光科技  NAND  晶圓廠  

上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價信號

  • 三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業(yè)級的NAND價格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。市場研究機構TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
  • 關鍵字： 存儲  NAND  DRAM  三星  SK海力士  

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進入新一輪漲價周期

  • 援引市場研究機構Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進，產(chǎn)能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達等公司引領的推理人工智能（AI）領域競爭日益激烈的背景下，作為關鍵組件的NAND閃存供應緊張，增加了包括服務器、個人電腦和移動設備在內(nèi)的所有領域價格持續(xù)上漲的可能性。分析師預測，這將對三星電子和SK海力士的
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  NAND  閃存  

蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

  • 1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發(fā)售價與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術研究主管 Paul Meeks 分析認為，全球科技企業(yè)對 AI 算力的狂熱需求，導致內(nèi)存市場供不應求，這種短缺狀態(tài)預計將至少持續(xù)兩年。即便蘋果擁有強大的供應鏈議價能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
  • 關鍵字： 蘋果iPhone 18  原價  大容量版本  RAM 內(nèi)存  NAND 閃存  

GigaDevice在香港上市：創(chuàng)始人押注中國記憶未來

  • 中國芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應商，于1月13日首次進入香港市場。據(jù)EE Times China報道，該公司在IPO中發(fā)行了2892萬股H股。此次發(fā)行價格為每股162港元，據(jù)報道籌集資金高達46.84億港元（約合6億美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 強調(diào)，GigaDevice既是國內(nèi)DRAM巨頭CXMT的股東，也是其姊妹公司，兩家公司均由同一位企業(yè)家朱怡明創(chuàng)立。正如36Kr之前報道，2022年至2024年間，GigaDevice累
  • 關鍵字： NAND  香港  存儲  

內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

  • 根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于DRAM的現(xiàn)貨價格持續(xù)日復一日上漲，盡管交易依然低迷，供應商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態(tài)度，現(xiàn)貨交易者對未來價格趨勢持樂觀態(tài)度，卻拒絕降價以刺激銷售。詳情如下：DRAM現(xiàn)貨價格：受強勁的合約價格上漲推動，現(xiàn)貨價格連續(xù)日漲。然而，由于供應商和交易商不愿釋放庫存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價格已從上
  • 關鍵字： DDR4  DRAM  NAND  

傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術：用于400+層的第10代V-NAND閃存

  • 上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據(jù)TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預計總層數(shù)達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協(xié)議的談判。
  • 關鍵字： 三星  長江存儲  混合鍵合技術  NAND  閃存  

SK海力士發(fā)布了5位NAND，可分割單元，實現(xiàn)20×更快的讀取速度

  • 存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事，逐步淘汰MLC（多級單元）等老產(chǎn)品，同時加倍投入先進技術。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會上，SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統(tǒng)PLC（五級單元）快達20×，Blocks & Files報道。據(jù)報道，SK海力士的多點小區(qū)（MSC）NAND技術將每個3D NAND小區(qū)一分為二，提升每個小區(qū)的數(shù)據(jù)容量，同時將電壓狀態(tài)數(shù)量減少約三分之二。Blocks & Files指出，這一突破展示了SK海力士自2022年起開發(fā)
  • 關鍵字： NAND  SK海力士  

兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

  • 一、產(chǎn)品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快
  • 關鍵字： 兆易創(chuàng)新  GD5F1GM9  QSPI NAND Flash  CES 2026  

金斯頓警告稱，自2025年初以來，NAND價格已飆升246%，預示未來將有更多價格上漲

  • 在供應緊張引發(fā)全球記憶價格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調(diào)價格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數(shù)據(jù)中心SSD業(yè)務經(jīng)理Cameron Crandall的言論指出，NAND價格自2025年1月以來已上漲246%，隨著短缺加劇，未來30天內(nèi)可能進一步攀升。在報道引用的《The Full Nerd Network》采訪中，Crandall指出，近70%的NAND價格急劇飆升發(fā)生在過去60天內(nèi)。由于NAND約占SSD成本結構的90%，他表示金斯頓幾乎沒
  • 關鍵字： NAND  存儲  

長江存儲對美國國防部、商務部發(fā)起訴訟

  • 據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態(tài)。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。
  • 關鍵字： 長江存儲  3D NAND  閃存  存儲器  
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第九代 v-nand介紹

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